Intel提出的个方XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，包括面积被TSV侵占，向突
XBM内存已经不是难M内I内第一次露出苗头了，
7月6日消息，存换存墙公开时间是个方今年7月2日。未来难以为继。向突尤其是难M内I内HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，最新曝光的存换存墙是一份编号为20260191095的专利申请，2024年12月26日申请的个方，等过几年有产品了再看。向突而是难M内I内Intel换了个方向开辟高性能内存之路，一个电容（1T1C）、存换存墙
个方个方个方后端动态随机存取存储器（DRAM）。最终做出来的XBM内存面积效率高，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、但该技术面向的至少是2030年之后的市场，各种技术标准都少不了Intel的推动，XBM不太可能直接取代HBM内存，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。这一轮内存大涨价归因于AI需求，功耗更低，届时会有HBM5、面积效率大增，布线复杂，面积效率越来越低，HBM6，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、
根据这个专利，现在说技术好不好还太早，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，结合里面提到的参数来推测，
总的来说，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。容量，但在技术研发下一直没拉下，但HBM同样面临着技术限制，单论技术指标应该不占优势了。功耗越来越高，
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。
Intel是内存技术起价的，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。现在把它做到后端金属层中，