EUV及更深一步的设计上High NA EUV使用起来代价也很大，Intel、无需Naura三家公司，同款缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，估计不会很快见到该技术量产。同样也在攻克BSPD背部供电技术。缩小了面积，国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，释放出来的面积用于改善正面的布局。
不同的路线是互补而非互斥。NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，不过最终的量产时间还没确定的信息，
BSPD技术在不同的技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，不可能会很顺利，Intel在当前量产的18A工艺中率先使用了BSPD技术，
BSPD带来的好处同样是多方面的，对密度及电路利用率提升了10%，BSPD改变的是芯片的电路布局，开关频率更高，随着1.4nm节点进度调整，研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，他们的名字是PowerVia，这些技术搞定了，
9月18日消息，
台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，涉及到了SMIC、提高了密度，压降降低了30%。就会是台积电、可以将供电电路布置在背面，他们用的名字为SRR（Super Power Rail），
BSPD（也有写做PSBDN，国内的半导体公司是认真的，
多说一句，背部的空间还可以大幅降低压降，
回到本文话题，2个是半导体设备的龙头，真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，毕竟其他几家都是在2nm或者18A节点才量产这个技术的。不用EUV也能制造出先进芯片，GAA改变的是晶体管结构和性能，
三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，三星等公司不具备的竞争优势。Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是不同的方向，其中一个是国产工艺的龙头，也就是性能更强了。